Az eszközök, különösen a mobiltelefonok és táblagépek által előállított digitális adatok exponenciális növekedése következtében a globális adatmennyiség is növekszik.
Elkerülhetetlen, hogy az adatok feldolgozásához szükséges számítási teljesítmény ne növekedjen. 2020 során minden felhasználó 1,7 megabájt adatot generált másodpercenként. 2025-ben az előrejelzések szerint 175 zetabyte (175 billió gigabájt) új adat keletkezik a világon.
Ez az adatmennyiség, nagy teljesítményű számítástechnikai alkalmazásokat, például adatelemzést, szuperszámítógépeket, gépi tanulást és mesterséges intelligenciát igényel a legújabb technológiákkal.
Ahhoz, hogy megbirkózzanak ezzel az adatterheléssel, a számítógépeknek nemcsak szupergyors processzorokra van szükségük, hanem olyan memóriamegoldásokra is, amelyek gyorsan, hatékonyan és fenntarthatóan tudják feldolgozni ezeket az adatokat.
A DDR5 kielégíti az adatmennyiség óriási növekedését tapasztaló iparágak igényeit. Az új sebességszintek, a megnövekedett kapacitás és a nagyobb megbízhatóság ötvözésével a DDR5 növeli a rendszer általános teljesítményét.
Átállás a DDR5 technológiára
Az új generációs DDR5 memóriachipeknek köszönhetően akár 7200 Mbps-os sebességgel, ami több mint kétszerese az előző generációs (DDR4) chipek teljesítményének, a mai ultragyors processzorok gyorsabban tudnak futni.
A számítógép memóriája cellákból áll, amelyek mindegyike képes elektromos töltést tárolni. Ha a cellát terheljük, azaz feltöltjük, a szoftver ezt a cellát „1”-nek érzékeli a bináris rendszerben.
Ha a cella nincs terhelve, vagyis nincs feltöltve, a szoftver ezt a cellát „0”-nak érzékeli a bináris rendszerben. Ily módon a memória/RAM elektromos töltést használ a számítógépes kódokat alkotó több millió 0 és 1 érték feldolgozására és tárolására.
Az elmúlt években a számítógépes memóriachip-gyártók felismerték, hogy közelednek a fizika határaihoz. Azt találták, hogy a memória működéséhez a cellákat el kell különíteni egymástól.
Ellenkező esetben elektromos töltés szivárog a cellák között, ami a RAM-ban lévő adatok megsérüléséhez és a programok működésképtelenné válásához vezet.
Annak érdekében, hogy leküzdje ezeket a korlátokat, és lehetővé tegye, hogy a következő generációs DRAM chipek ne csak jobban működjenek, hanem új ugrást tegyenek a teljesítményben.
A Samsung a logikai chipekben használt High-K Metal Gate (HKMG) technológiát alkalmazta. Ez lehetővé tette a DDR4-hez képest kétszeres sebességű adatátvitelt, a rendkívül szorosan egymásra csomagolt cellák egymástól való elszigetelésével.
A beépített fenntarthatósággal járó teljesítménynövelés
A DDR5 30%-kal nagyobb energiahatékonyságot kínál nagyobb teljesítménnyel és kisebb energiafogyasztással, mint elődje a DDR4 memóriája.
A magas energiagazdálkodási hatékonyságot és a tápellátás stabilitását a belső PMIC komponens biztosítja. A DDR4-ről DDR5-re váltás egy adatközpontban akár 1TWh energiamegtakarítást is biztosít évente. Ez különösen fontos az adatközponti piac számára, amely évente átlagosan 6,4%-kal növekszik világszerte.
Több memória a nagy adatforgalomhoz az 512 GB-os modullal
Az EUV technológiával a 16 Gb-os chipegységek kapacitása elérte a 32 Gb-ot. A TSV technológiának köszönhetően a 8 rétegű, 16 GB-os DRAM lapka egymásra rakhatóvá vált.
Ennek a két technológiának köszönhetően lehetővé vált 512 GB kapacitású DDR5 memóriamodulok gyártása. Az adatintenzív munkaterhelésű alkalmazásokhoz, mint például a gépi tanulás, a mesterséges intelligencia, az analitika, a nagyszabású számítástechnika stb., a DDR5 memóriatermékek optimális megoldásokat kínálnak.
Nagy megbízhatóság a beépített hibajavító funkcióval
A DDR5 memóriában használt ODECC (on-die error-correction code) technológia segít a biztonságos és stabil adatmegbízhatóság fenntartásában. Így a stabilitás a teljesítmény növekedésével együtt biztosított.
Az ODECC gyakorlatilag kiküszöböli az egybites hibákat a nagyobb megbízhatóság érdekében, még a nagy adatforgalmi igények esetén is.
DDR5 alaktényezők
Bár a DDR5 memóriamodulok első pillantásra a DDR4-hez hasonlítanak, mint minden új memóriatechnológia esetében, vannak olyan fontos változások, amelyek miatt nem kompatibilisek a régebbi rendszerekkel.
Az első észrevehető bevágás (középső bemélyedés) helye más, hogy elkerülje a beakadást az inkompatibilis nyílásokban. A bevágások elhelyezkedése az UDIMM és RDIMM modulokban is eltér az előző generációkkal ellentétben.
