Míg a Toshiba már az UFS 3.0 chipek tesztelésénél tart, addig a Samsung még mindig az UFS 2.1 tervezésével foglalatoskodik.

Hirdetés

A dél-koreai elektronikai óriás ma egy 1TB kapacitású UFS tárolót jelentett be. A bejelentés néhány héttel a Galaxy S10 széria elindítása előtt nem is furcsa, ugyanis korábban megtudhattuk, hogy az 5G-s modell már 12 GB RAM-mal és 1TB belső tárhellyel kerül majd bemutatásra.

A chip 1000 MB/s olvasási, 260 MB/s írási sebességgel, míg 58.000 IOPS véletlenszerű olvasási és 50.000 IOPS véletlenszerű írási sebességgel rendelkezik. Ezek az adatok jelentős sebességnövekedést mutatnak a Samsung több tárolójához viszonyítva.

A Samsung beszámolója szerint, a tömeggyártást már meg is kezdték. A gyártók irányából megnövekedett kereslet miatt, növelni fogják az ötödik generációs 512 GB-os V-NAND termelést 2019 első felében. Ezen információk alapján szinte biztosra vehetjük, hogy több 1TB belső tárhellyel rendelkező telefon fog megjelenni, még ebben az évben.

Indiában bemutatkozott a Galaxy M széria első két tagja

 

Válaszolj

Az e-mail címed nem publikáljuk.